RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
比較する
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
総合得点
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
総合得点
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
43
周辺 -16% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.5
11.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.5
7.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
37
読み出し速度、GB/s
11.4
13.5
書き込み速度、GB/秒
7.7
10.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1823
2389
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB RAMの比較
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link