Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB

総合得点

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

総合得点

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

考慮すべき理由
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 38

周辺 34% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.3 14.3

テスト平均値

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB

バグを報告する

書き込み速度の高速化、GB/s

10.9 9.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

25 38
読み出し速度、GB/s

15.3 14.3
書き込み速度、GB/秒

9.8 10.9
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2646 2638

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB

Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB

Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Kingston 99U5734-014.A00G 16GB

Kingston 99U5734-014.A00G 16GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston 9905744-023.A00G 16GB

Kingston 9905744-023.A00G 16GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston 9965589-017.D00G 8GB

Kingston 9965589-017.D00G 8GB