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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
総合得点
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
25
周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.3
15.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
9.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
24
読み出し速度、GB/s
15.3
16.3
書き込み速度、GB/秒
9.8
13.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2646
2850
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
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