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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
26
周辺 4% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
18.3
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
26
読み出し速度、GB/s
16.1
18.3
書き込み速度、GB/秒
10.1
12.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3312
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
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G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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