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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
16.1
18.3
写入速度,GB/s
10.1
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3312
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
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