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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.0
17.6
写入速度,GB/s
8.0
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
3446
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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