Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

総合得点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点

Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 33

周辺 24% 低遅延

Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

考慮すべき理由
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

19.6 16.1

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.2 10.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

25 33
読み出し速度、GB/s

16.1 19.6
書き込み速度、GB/秒

10.1 14.2
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2764 3374

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

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G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB

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Kingston KF552C40-16 16GB

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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB

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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

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Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

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Avant Technology W642GU42J5213N 16GB

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Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB

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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB

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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

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