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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
30
周辺 17% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.4
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
30
読み出し速度、GB/s
16.1
17.7
書き込み速度、GB/秒
10.1
15.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3550
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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