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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
27
周辺 7% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.5
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
27
読み出し速度、GB/s
16.1
16.5
書き込み速度、GB/秒
10.1
13.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3061
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
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