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SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
比較する
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
総合得点
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
総合得点
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
55
周辺 35% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.8
14.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
8.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
55
読み出し速度、GB/s
14.7
15.8
書き込み速度、GB/秒
8.9
13.8
メモリ帯域幅、mbps
21300
25600
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2588
2701
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905663-030.A00G 16GB
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Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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