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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
31
周辺 19% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
16.3
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
31
読み出し速度、GB/s
16.1
16.3
書き込み速度、GB/秒
10.1
12.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3120
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
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