RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3120
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link