Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

総合得点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 33

周辺 24% 低遅延

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

19.3 16.1

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

15.1 10.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

25 33
読み出し速度、GB/s

16.1 19.3
書き込み速度、GB/秒

10.1 15.1
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2764 3423

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB

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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

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Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB

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