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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
26
周辺 4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.1
8.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
26
読み出し速度、GB/s
16.1
13.9
書き込み速度、GB/秒
10.1
8.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2291
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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