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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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考慮すべき理由
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
25
周辺 -14% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.9
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
22
読み出し速度、GB/s
16.1
16.9
書き込み速度、GB/秒
10.1
11.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2947
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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