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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
16.1
16.9
写入速度,GB/s
10.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2947
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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