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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
12.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.4
13.6
写入速度,GB/s
7.5
6.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2099
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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