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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
19.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
60
左右 -58% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
38
读取速度,GB/s
5,082.2
19.3
写入速度,GB/s
2,381.6
13.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
3246
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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