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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
26
周辺 4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
15.4
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
26
読み出し速度、GB/s
16.1
15.4
書き込み速度、GB/秒
10.1
11.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2771
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB RAMの比較
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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