RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
26
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2771
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link