RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 29
    周辺 14% 低遅延
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.6 left arrow 16.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 18.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 14.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 3765

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
メモリRAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
メモリRAM