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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.6
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
16.1
18.6
写入速度,GB/s
10.1
14.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3765
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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