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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
3,405.2
19.8
写入速度,GB/s
2,622.0
14.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3650
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
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