RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 28
    周辺 11% 低遅延
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 16.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 3085

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
メモリRAM
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
メモリRAM