RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
16.1
17.4
写入速度,GB/s
10.1
12.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3085
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link