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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
26
周辺 4% 低遅延
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18.8
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.9
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
26
読み出し速度、GB/s
16.1
18.8
書き込み速度、GB/秒
10.1
17.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
4053
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
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