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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.8
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.9
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
16.1
18.8
写入速度,GB/s
10.1
17.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
4053
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
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