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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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考慮すべき理由
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
18.6
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.3
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
25
読み出し速度、GB/s
16.1
18.6
書き込み速度、GB/秒
10.1
14.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3413
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
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