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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

総合得点
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 25
    周辺 -14% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 16.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 3035

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較

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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-421.A00LF 16GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
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メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
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