RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
35
周辺 29% 低遅延
考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.1
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
35
読み出し速度、GB/s
16.1
16.7
書き込み速度、GB/秒
10.1
15.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3191
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB RAMの比較
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link