RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3191
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link