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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

総合得点
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 27
    周辺 7% 低遅延
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.2 left arrow 16.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 15.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 3628

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