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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
28
周辺 11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
16
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
11.3
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
28
読み出し速度、GB/s
16.1
16.0
書き込み速度、GB/秒
10.1
11.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2436
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
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Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
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