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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
16.1
16.0
写入速度,GB/s
10.1
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2436
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
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