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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
85
周辺 71% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
15.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.1
8.1
テスト平均値
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
85
読み出し速度、GB/s
16.1
15.1
書き込み速度、GB/秒
10.1
8.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
1772
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB RAMの比較
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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