RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

総合得点
star star star star star
AMD R9S48G3206U2S 8GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
バグを報告する
AMD R9S48G3206U2S 8GB 考慮すべき理由
AMD R9S48G3206U2S 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 43
    周辺 -16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.6 left arrow 14.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 20.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 13.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2506 left arrow 3518

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
メモリRAM