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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razões a considerar
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
43
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
37
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
13.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3518
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
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