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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
総合得点
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
総合得点
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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考慮すべき理由
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
43
周辺 -19% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.2
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
36
読み出し速度、GB/s
14.9
16.0
書き込み速度、GB/秒
9.6
13.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2506
3313
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAMの比較
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Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
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