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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
総合得点
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
総合得点
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
43
周辺 -48% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.2
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
29
読み出し速度、GB/s
14.9
16.2
書き込み速度、GB/秒
9.6
13.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
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