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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 43
    左右 -48% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.2 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.0 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 16.2
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 13.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 3221

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Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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