Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

总分
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

总分
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 37
    左右 -23% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.3 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    23400 left arrow 10600
    左右 2.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    37 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    11.4 left arrow 16.0
  • 写入速度,GB/s
    7.4 left arrow 12.3
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1683 left arrow 2709
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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