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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
12.5
15.5
写入速度,GB/s
8.4
9.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2479
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
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