RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Comparez
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Note globale
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2180
2479
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link