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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Confronto
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
37
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
10600
Intorno 2.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
30
Velocità di lettura, GB/s
11.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
23400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1683
2709
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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