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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
総合得点
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.9
13.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
43
周辺 -19% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.8
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
36
読み出し速度、GB/s
14.9
13.6
書き込み速度、GB/秒
9.6
10.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2506
2690
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAMの比較
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
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