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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
総合得点
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
総合得点
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
8.8
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
43
周辺 -87% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.4
14.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
23
読み出し速度、GB/s
14.9
16.4
書き込み速度、GB/秒
9.6
8.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2506
2532
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Frequency (Mhz) *
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