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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
14.9
16.4
写入速度,GB/s
9.6
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2532
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
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