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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB

総合得点
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
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Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 12.8
    テスト平均値
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB 考慮すべき理由
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 59
    周辺 -127% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.2 left arrow 2,123.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    4,833.8 left arrow 12.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,123.3 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    731 left arrow 2353

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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 9905598-040.A00G 16GB
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メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
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メモリRAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
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AMD R538G1601U2S 8GB
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Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
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