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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
比較する
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
総合得点
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
総合得点
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
11.1
テスト平均値
考慮すべき理由
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
59
周辺 -97% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
6.1
2,123.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
30
読み出し速度、GB/s
4,833.8
11.1
書き込み速度、GB/秒
2,123.3
6.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
731
1254
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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