RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,123.3 left arrow 11.0
    テスト平均値
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB 考慮すべき理由
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 59
    周辺 -119% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    4,833.8 left arrow 14.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,123.3 left arrow 11.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    731 left arrow 2596

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
メモリRAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
メモリRAM